学文网内存是一个非常奇怪的设备，没有它电脑就一定无法运行，并且内存对性能的影响也很重要，内存的性能在很大程度上决定了整个系统的性能。但是内存的发展速度却一直都不快，从SDRAM到DDR、DDR2，发展到DDR3后，内存就经历了相当时期的长时期的发展停滞期。不过第四代内存DDR4终于快要上市了，它的全新特性和超强规格使得它具有划时代的意义。
早在去年年末，内存规范厂商JEDEC就了DDR4内存的白皮书。而经过接近一年的发展和酝酿，DDR4内存终于要走向前台。相比目前的DDR3内存，DDR4内存在技术和规格上都有大幅度创新，即将引领下一个内存时代。
1 超高速 多通道 大容量
根据目前的规划，DDR4需要在预取数没有改变的情况下将等效频率从DDR4 1600起，短期内提升至DDR4 3200，未来会进一步发展到DDR4 4266及以上。由于架构的大幅度改进，DDR4的频率上升变得更容易，因此高频率、高速度是DDR4的最典型特征。但是，在工艺一定的情况下，频率上升带来的问题也很麻烦，主要是温度变高、工作稳定性降低、信号传输稳定性变差等。这些都是DDR4在高频率运作时需要解决的问题。为了解决这个问题，DDR4使用了很多新技术，比如Bank Group技术、TCSE、TCAR等。总线上DDR4采用了全新的点对点总线，内存设计上使用了3DS技术，整体实力令人惊叹。
为了更快的传输数据，DDR4采用了Bank Group分组架构技术，内部可以支持2个或者4个Group，能够同时对这些Group进行读写操作。每个Bank Group可以***读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。Bank Group带来了DDR4内部数据传输能力的大幅度提升，让DDR4在物理频率没有太大提升的情况下能大幅度提升数据存取能力。凭借Bank Group的设计，DDR4获得了非常大的发展空间，这是技术型产品需要长期发展不可或缺的重要内容。只有在未来有持续的发展空间，DDR4才能在3～5年中对未来计算带宽提供足够支持。
解决了存储带宽问题后，DDR4还采用了超高速的点对点总线。点对点总线的特性是内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。它相当于为每个仓库都设计了一条道路，有效利用了每个内存的位宽。点对点总线设计比较简单，容易达到更高的频率。在弹性内存多通道技术发展后，用户有很大可能依旧可以在不同的通道上配置不同规格的内存，即能节约投资，又能提高性能。实际的性能数据方面，未来民用PC中支持DDR 4的产品可能使用4通道点对点内存控制器。以DDR 3200计算，在4通道的情况下，可以提供约102.4GB/s（3200×64×4÷8）的带宽，远远超出目前25GB/s左右的带宽，即使是普通的双通道，带宽也高达52.2GB/s，也超出目前主流水平100%还多。
目前限制内存发展的因素还有内存容量。DDR4准备启用堆叠封装来增大单颗芯片的容量，这也是DDR4内存中最关键的技术之一。这项技术在DDR4中被称作3DS（3-Dimensional Stack）。DDR4中，采用硅穿孔后的多层芯片中，只有一个主DRAM，其余的都是从DRAM（最多可以叠加7层，加上主DRAM，共8层）。芯片在工作时，只面向主DRAM，系统就像操作单层芯片那样操控所有的堆叠芯片。使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。即使技术不成熟只能使用4层堆叠，DDR4内存至少可以达到单条32GB，双通道64GB，基本可以满足未来三五年内的内存容量需求了。
2 DDR4内存是弯的
DDR3内存和DDR2内存外观看起来基本相同，只是金手指上的缺口不太一样，那么DDR4呢？会有什么特色设计吗？
DDR4内存是“弯的”！DDR4内存的金手指不再是平直的了，而是呈现弯曲状。做出这样的改进是因为从结构来看，传统内存平直设计的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况。而DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输稳定无虞，又可以让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力而稳定内存。
除了典型的外观变化外，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，比DDR3的240个要多，每一个触点的间距从1毫米缩减到0.85毫米，因此长度基本不变。笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，触点间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米，长度相比触点只有204个SO-DIMM DDR3内存也没有太大的变化。
在尺寸方面，由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB的厚度略微增加了0.2毫米，高度略有增高，长和宽分别增加了0.9毫米和1毫米，达到了68.6毫米长和31.25毫米高。不过仅仅从外观看，不经过仔细对比的话，是不会发现DDR4和DDR3在长宽高上有太过明显的区别的。
3 DDR4内存的上市时间
DDR4这么优异，什么时候上市呢？根据镁光等厂商的资料，DDR4从2013年开始试生产并开始正式出货，2014年开始大面积生产。在2016年左右，DDR4将会彻底取代DDR3成为主流产品，届时DDR4的市场占有率应该超过50%（DDR3应该还有约1/3的市场占有率）。平台方面，英特尔很可能在2014年首先在新的移动平台上宣布对DDR4的支持，AMD也应该差不多在同一时间开始支持DDR4，在2015年将有希望看到DDR4产品的大爆发。
不过早期上市的DDR4内存规格可能并不太高。根据镁光的路线***，DDR4内存在2013年首先推出DDR4 1866、DDR4 2133的规格，随着时间推移会在2015年延伸至DDR4 2667，在2016年还有可能更高。不过这份路线***显得较为保守，据其他方面的消息，DDR4在进入成熟期（2015年之后），很可能快速发展出高频版本，玩家级别的产品会使用到DDR4 3200乃至更高，最终可以达到DDR4 4266等高规格。
4 DDR4将在2015普及
尽管DDR4明年就会与大家见面，但和所有新产品一样，DDR4上市初期的价格必定是高高在上，令人难以接受的。不过随着技术发展，DDR4的价格肯定也会逐步亲民化，迅速走入平常用户和玩家电脑中。保守估计，DDR4在2015年左右价格会降低到比较令人满意的程度，各种支持DDR4控制器的主板或CPU产品也会更加丰富，那个时候DDR4应该会顺利走入千万玩家的电脑中了。
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